IGCT(Integrated Gate Commutated Thyristor)에 대한 설명 – 건축전기설비기술사

① 통합 게이트 정류 사이리스터(Integrated Gate Commutated Thyristor, IGCT)는 대용량의 전류를 제어할 수 있는 신 형 반도체 소자로 그림과 같은 기호를 사용한다.

② GTO와 비슷한 사이리스터의 일종으로 제어단자(gate) 신호로 켜고 끌 수 있으며, GTO에 비해 전도 손실이 적은 것이 특징이다.

③ 또한 IGCT는 GTO에 비해 조금 더 고속의 스위칭이 가능하다. 최고 400[kHz]까지의 스위칭이 가능하지만, 주파수가 높아지면 변환 손실이 커지기 때문에 보통은 500[Hz] 정도로 스위칭 한다.

① S-IGCT
발생한 역전압을 균형 있게(순방향전압과 역방향전압이 거의 같게) 하는 IGCT로 전류형 인버터에 사용된다.

② A-IGCT
발생한 역전압을 거의 막지 않는 IGCT이다. 역전압이 거의 발생하지 않는 Chopper 등에 사용된다.

③ R-IGCT
발생한 역전압을 별도의 다이오드를 통해서 도통 시키는 IGCT이다.

① 장점
⑴ 사용전압이 5[kV] 정도로 매우 높고 도통 가능한 전류도 3,000~5,000[A] 정도로 매우 크다.
⑵ On/Off 신호는 보통 광케이블로 입력받는다.
⑶ 전압강하가 2~3[V] 정도로 낮고 저항이 수 mm[Ω] 정도로 작아서 손실이 적다.
⑷ 직렬/병렬로 사용할 수 있다.

② 단점
⑴ 게이트 구동전류가 보통 1,000[A] 정도로 매우 크다.
⑵ 구동 중 고조파 발생이 많은 편이다.
⑶ GTO 보다 가격이 비싸다.